Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - prostowniki mostkowe > APT10DC120HJ
Poproś o wycenę
polski
4314884Obraz APT10DC120HJ.Microsemi

APT10DC120HJ

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$46.194
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT10DC120HJ
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    1.2kV
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.8V @ 10A
  • Technologia
    Silicon Carbide Schottky
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-227
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Single Phase
  • szczegółowy opis
    Bridge Rectifier Single Phase Silicon Carbide Schottky 1.2kV Chassis Mount SOT-227
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    200µA @ 1200V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    10A
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Opis: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100M50J

APT100M50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100S20BG

APT100S20BG

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Opis: IGBT 600V 183A 780W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT102GA60L

APT102GA60L

Opis: IGBT 600V 183A 780W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść