Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT100MC120JCU2
Poproś o wycenę
polski
3763826Obraz APT100MC120JCU2.Microsemi

APT100MC120JCU2

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$241.30
10+
$229.65
25+
$221.329
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT100MC120JCU2
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 2mA
  • Vgs (maks.)
    +25V, -10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-227
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    17 mOhm @ 100A, 20V
  • Strata mocy (max)
    600W (Tc)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    5960pF @ 1000V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    360nC @ 20V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1200V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1200V 143A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    143A (Tc)
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Opis: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100M50J

APT100M50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Opis: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100S20BG

APT100S20BG

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Opis: IGBT 600V 229A 625W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Opis: IGBT 600V 183A 780W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Opis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Opis: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Opis: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT102GA60L

APT102GA60L

Opis: IGBT 600V 183A 780W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść