Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT100GN60B2G
Poproś o wycenę
polski
2083172Obraz APT100GN60B2G.Microsemi

APT100GN60B2G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
60+
$9.441
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT100GN60B2G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 229A 625W TMAX
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    1.85V @ 15V, 100A
  • Stan testu
    400V, 100A, 1 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    31ns/310ns
  • Przełączanie Energy
    4.7mJ (on), 2.675mJ (off)
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    625W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3 Variant
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Trench Field Stop
  • brama Charge
    600nC
  • szczegółowy opis
    IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    300A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    229A
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Opis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Opis: IGBT 600V 229A 625W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100DL60BG

APT100DL60BG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100M50J

APT100M50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Opis: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Opis: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Opis: MOD DIODE 600V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Opis: POWER MODULE - IGBT

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

Opis: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Opis: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Opis: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Opis: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10090BLLG

APT10090BLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100F50J

APT100F50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GN120J

APT100GN120J

Opis: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść