Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT100F50J
Poproś o wycenę
polski
4234203Obraz APT100F50J.Microsemi

APT100F50J

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$60.68
10+
$57.111
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT100F50J
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V 103A SOT227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 5mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    ISOTOP®
  • Seria
    POWER MOS 8™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    36 mOhm @ 75A, 10V
  • Strata mocy (max)
    960W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    21 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    24600pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    620nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    500V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 500V 103A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    103A (Tc)
APT10078SLLG

APT10078SLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Opis: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10045JLL

APT10045JLL

Opis: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Opis: IGBT 600V 229A 625W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Opis: POWER MODULE - IGBT

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10078BLLG

APT10078BLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100DL60BG

APT100DL60BG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Opis: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT1003RKLLG

APT1003RKLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10090BLLG

APT10090BLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Opis: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Opis: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10045B2LLG

APT10045B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Opis: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

Opis: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Opis: MOD DIODE 600V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GN120J

APT100GN120J

Opis: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Opis: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT1003RBLLG

APT1003RBLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10090BFLLG

APT10090BFLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść