Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > APT100DL60BG
Poproś o wycenę
polski
843578Obraz APT100DL60BG.Microsemi

APT100DL60BG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
90+
$7.75
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT100DL60BG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 100A TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.6V @ 100A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-2
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 100A Through Hole TO-247
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    100A
  • Pojemność @ VR F
    -
APT1003RBLLG

APT1003RBLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10090BFLLG

APT10090BFLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Opis: IGBT 600V 229A 625W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10045B2LLG

APT10045B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Opis: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10035LLLG

APT10035LLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

Opis: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Opis: POWER MODULE - IGBT

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT1003RKLLG

APT1003RKLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Opis: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Opis: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Opis: MOD DIODE 600V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10078BLLG

APT10078BLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10045JLL

APT10045JLL

Opis: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10078SLLG

APT10078SLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10035JLL

APT10035JLL

Opis: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10090BLLG

APT10090BLLG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GN120J

APT100GN120J

Opis: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100F50J

APT100F50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Opis: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść