Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > APT100S20BG
Poproś o wycenę
polski
5337532Obraz APT100S20BG.Microsemi

APT100S20BG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$7.71
30+
$6.323
120+
$5.706
510+
$4.781
1020+
$4.164
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT100S20BG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    950mV @ 100A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    200V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247 [B]
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    70ns
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-2
  • Inne nazwy
    APT100S20BGMI
    APT100S20BGMI-ND
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    26 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Schottky
  • szczegółowy opis
    Diode Schottky 200V 120A Through Hole TO-247 [B]
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    2mA @ 200V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    120A
  • Pojemność @ VR F
    -
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Opis: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Opis: IGBT 600V 229A 625W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Opis: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Opis: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Opis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Opis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100M50J

APT100M50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Opis: IGBT 600V 183A 780W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT102GA60L

APT102GA60L

Opis: IGBT 600V 183A 780W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść