Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > APT10SCD65K
Poproś o wycenę
polski
3316534Obraz APT10SCD65K.Microsemi

APT10SCD65K

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT10SCD65K
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE SILICON 650V 17A TO220
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.8V @ 10A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    650V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220 [K]
  • Prędkość
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    0ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    TO-220-2
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Silicon Carbide Schottky
  • szczegółowy opis
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K]
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    200µA @ 650V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    17A
  • Pojemność @ VR F
    300pF @ 1V, 1MHz
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT11F80B

APT11F80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT11F80S

APT11F80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Opis: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Opis: IGBT 600V 41A 187W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT12031JFLL

APT12031JFLL

Opis: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Opis: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść