Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > APT10SCD120K
Poproś o wycenę
polski
6206375Obraz APT10SCD120K.Microsemi

APT10SCD120K

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$10.84
10+
$9.759
25+
$8.892
100+
$8.025
250+
$7.374
500+
$6.723
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT10SCD120K
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / niezgodna z dyrektywą RoHS
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.5V @ 10A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    1200V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220
  • Prędkość
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    0ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    TO-220-2
  • Temperatura pracy - złącze
    -
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Silicon Carbide Schottky
  • szczegółowy opis
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 10A Through Hole TO-220
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    10A
  • Pojemność @ VR F
    -

STMicroelectronics and Allegro Announce Price Increases

2026/03/26

Electronics Weekly News | Mar 16 - 22, 2026

2026/03/24

Automotive Memory Applications & Selection Guide I

2026/03/17

Electronics Weekly News | Mar 9 - 15, 2026

2026/03/16

NXP Announces Price Adjustment Effective April 1, 2026

2026/03/12

Electronics Weekly News | Mar 2 - 8, 2026

2026/03/9

TI Announces Price Increase Effective April 1, 2026

2026/03/6

What the Global Supercomputer Rankings Reveal About the Fut...

2026/03/5

Electronics Weekly News | Feb 23 - Mar 1, 2026

2026/03/2

How to Identify Authentic Components | X-RAY Spotting Machine

2026/02/27

Electronics Weekly News | Feb 2 - 8, 2026

2026/02/9

Customer Case Study | Tier1 ADAS / Domain Controller Memory...

2026/02/19
Ustanowiliśmy długoterminowe partnerstwa z głównymi globalnymi dostawcami logistyki, oferując elastyczne i wydajne rozwiązania wysyłkowe dostosowane do twoich unikalnych potrzeb.W zależności od wielkości, wagi i miejsca docelowego zamówienia wybieramy najbardziej odpowiedniego przewoźnika.Zapewniamy również usługi śledzenia logistyki w czasie rzeczywistym, umożliwiając klientom zrozumienie lokalizacji i statusu ich towarów w dowolnym momencie. Jeśli masz określone międzynarodowe trasy wysyłkowe lub wyznaczonego napastnika towarowego, skontaktuj się z naszym zespołem sprzedaży-z przyjemnością dostosujemy Twoje wymagania.
Obsługujemy wiele metod płatności, w tym karty kredytowe, transfery przewodu i inne opcje, i akceptujemy większość walut.W przypadku zamówień złożonych w USD dostępne są dodatkowe opcje płatności.Aby uzyskać więcej informacji na temat metod i procedur płatności, skontaktuj się z naszym zespołem sprzedaży.
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT10SCD120K”.
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Opis: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Opis: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

Opis: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Opis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Opis: IGBT 600V 41A 187W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Opis: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Opis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Opis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Opis: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Opis: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ

Review (1)

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościPliki do pobraniaMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.