Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APTM100SK33T1G
Poproś o wycenę
polski
3285093

APTM100SK33T1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$30.25
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APTM100SK33T1G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SP1
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    396 mOhm @ 18A, 10V
  • Strata mocy (max)
    390W (Tc)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SP1
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    7868pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    305nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1000V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1000V 23A (Tc) 390W (Tc) Chassis Mount SP1
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)
APTM100U13SG

APTM100U13SG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 65A J3

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100DUM90G

APTM100DUM90G

Opis: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100UM45DAG

APTM100UM45DAG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100TA35SCTPG

APTM100TA35SCTPG

Opis: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100TDU35PG

APTM100TDU35PG

Opis: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100SK40T1G

APTM100SK40T1G

Opis: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100UM45FAG

APTM100UM45FAG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 215A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100H45FT3G

APTM100H45FT3G

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100H45SCTG

APTM100H45SCTG

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100H18FG

APTM100H18FG

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100UM65DAG

APTM100UM65DAG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100SKM90G

APTM100SKM90G

Opis: MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100H35FTG

APTM100H35FTG

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100H46FT3G

APTM100H46FT3G

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100SK18TG

APTM100SK18TG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100H35FT3G

APTM100H35FT3G

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100UM60FAG

APTM100UM60FAG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 129A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100H80FT1G

APTM100H80FT1G

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100TA35FPG

APTM100TA35FPG

Opis: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100H45STG

APTM100H45STG

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść