Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APTM100H35FTG
Poproś o wycenę
polski
6301849

APTM100H35FTG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$111.716
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APTM100H35FTG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SP4
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    420 mOhm @ 11A, 10V
  • Moc - Max
    390W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SP4
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    5200pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    186nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    4 N-Channel (H-Bridge)
  • Cecha FET
    Standard
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1000V (1kV)
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP4
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    22A
APTM100DA40T1G

APTM100DA40T1G

Opis: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100DUM90G

APTM100DUM90G

Opis: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100DU18TG

APTM100DU18TG

Opis: MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100DSK35T3G

APTM100DSK35T3G

Opis: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100H45SCTG

APTM100H45SCTG

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100H45STG

APTM100H45STG

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100SK18TG

APTM100SK18TG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100H46FT3G

APTM100H46FT3G

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100SK40T1G

APTM100SK40T1G

Opis: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100SKM90G

APTM100SKM90G

Opis: MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100H45FT3G

APTM100H45FT3G

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100H35FT3G

APTM100H35FT3G

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100DDA35T3G

APTM100DDA35T3G

Opis: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100SK33T1G

APTM100SK33T1G

Opis: MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100DAM90G

APTM100DAM90G

Opis: MOSFET N-CH 1000V 78A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100DA33T1G

APTM100DA33T1G

Opis: MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100TA35FPG

APTM100TA35FPG

Opis: MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100H18FG

APTM100H18FG

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100DA18TG

APTM100DA18TG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

Producenci: Microsemi
Na stanie
APTM100H80FT1G

APTM100H80FT1G

Opis: MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść