Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT8M100B
Poproś o wycenę
polski
232406Obraz APT8M100B.Microsemi

APT8M100B

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$7.03
30+
$5.648
120+
$5.146
510+
$4.167
1020+
$3.514
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT8M100B
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247 [B]
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.8 Ohm @ 4A, 10V
  • Strata mocy (max)
    290W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    APT8M100BMI
    APT8M100BMI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    23 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1885pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    60nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1000V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1000V 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)
APT85GR120J

APT85GR120J

Opis: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Opis: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Opis: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT95GR65JDU60

APT95GR65JDU60

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT8M80K

APT8M80K

Opis: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT84F50L

APT84F50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT85GR120L

APT85GR120L

Opis: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80SM120S

APT80SM120S

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT9F100B

APT9F100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT94N65B2C6

APT94N65B2C6

Opis: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT84M50L

APT84M50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Opis: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT84F50B2

APT84F50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT9F100S

APT9F100S

Opis: MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Opis: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT84M50B2

APT84M50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT95GR65B2

APT95GR65B2

Opis: IGBT 650V 208A 892W T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Opis: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT97N65LC6

APT97N65LC6

Opis: MOSFET N-CH 650V 97A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść