Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT85GR120B2
Poproś o wycenę
polski
5259205Obraz APT85GR120B2.Microsemi

APT85GR120B2

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$17.32
10+
$15.744
30+
$14.563
120+
$13.382
270+
$12.201
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT85GR120B2
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 170A 962W TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    3.2V @ 15V, 85A
  • Stan testu
    600V, 85A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    43ns/300ns
  • Przełączanie Energy
    6mJ (on), 3.8mJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    T-MAX™
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    962W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    17 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT
  • brama Charge
    660nC
  • szczegółowy opis
    IGBT NPT 1200V 170A 962W Through Hole T-MAX™
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    340A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    170A
APT80SM120S

APT80SM120S

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT85GR120L

APT85GR120L

Opis: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT85GR120J

APT85GR120J

Opis: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Opis: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80SM120J

APT80SM120J

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80GP60J

APT80GP60J

Opis: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT94N65B2C6

APT94N65B2C6

Opis: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT84M50L

APT84M50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT84F50L

APT84F50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Opis: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80SM120B

APT80SM120B

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT8M80K

APT8M80K

Opis: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Opis: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Opis: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT84M50B2

APT84M50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

Opis: IGBT 900V 145A 625W TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT80M60J

APT80M60J

Opis: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT8M100B

APT8M100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT84F50B2

APT84F50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść