Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - prostowniki mostkowe > APT35DL120HJ
Poproś o wycenę
polski
6426122Obraz APT35DL120HJ.Microsemi

APT35DL120HJ

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT35DL120HJ
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE MODULE 1.2KV SOT227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    1.2kV
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    2.1V @ 35A
  • Technologia
    Standard
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-227
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Single Phase
  • szczegółowy opis
    Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.2kV Chassis Mount SOT-227
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    250µA @ 1200V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    35A
APT33N90JCU3

APT33N90JCU3

Opis: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GA90B

APT35GA90B

Opis: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT34F60BG

APT34F60BG

Opis: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GP120J

APT35GP120J

Opis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Opis: IGBT 900V 63A 290W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT34M60B

APT34M60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Opis: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT34F60B

APT34F60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT33N90JCU2

APT33N90JCU2

Opis: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Opis: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

Opis: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Opis: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT34F100B2

APT34F100B2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Opis: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT34M120J

APT34M120J

Opis: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT34F100L

APT34F100L

Opis: MOSFET N-CH 1000V 35A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść