Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT34F60BG
Poproś o wycenę
polski
3082196Obraz APT34F60BG.Microsemi

APT34F60BG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT34F60BG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247-3
  • Seria
    POWER MOS 8™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    210 mOhm @ 17A, 10V
  • Strata mocy (max)
    624W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    6640pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    165nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 34A (Tc) 624W (Tc) Through Hole TO-247-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    34A (Tc)
AC1206FR-0731K6L

AC1206FR-0731K6L

Opis: RES SMD 31.6K OHM 1% 1/4W 1206

Producenci: Yageo
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść