Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT25GR120SSCD10
Poproś o wycenę
polski
2138046Obraz APT25GR120SSCD10.Microsemi

APT25GR120SSCD10

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT25GR120SSCD10
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    3.2V @ 15V, 25A
  • Stan testu
    600V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    16ns/122ns
  • Przełączanie Energy
    434µJ (on), 466µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D3Pak
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    521W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT
  • brama Charge
    203nC
  • szczegółowy opis
    IGBT NPT 1200V 75A 521W Surface Mount D3Pak
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    100A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    75A
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Opis: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GR120S

APT25GR120S

Opis: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GR120BD15

APT25GR120BD15

Opis: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GP120BDQ1G

APT25GP120BDQ1G

Opis: IGBT 1200V 69A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

Opis: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GR120B

APT25GR120B

Opis: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25M100J

APT25M100J

Opis: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25SM120B

APT25SM120B

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Opis: IGBT 900V 48A 223W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GP120BG

APT25GP120BG

Opis: IGBT 1200V 69A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT26F120B2

APT26F120B2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GP90BG

APT25GP90BG

Opis: IGBT 900V 72A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GT120BRG

APT25GT120BRG

Opis: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT26F120L

APT26F120L

Opis: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G

Opis: IGBT 900V 72A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

Opis: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GR120BSCD10

APT25GR120BSCD10

Opis: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25SM120S

APT25SM120S

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GR120SD15

APT25GR120SD15

Opis: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GN120SG

APT25GN120SG

Opis: IGBT 1200V 67A 272W D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść