Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT25GR120B
Poproś o wycenę
polski
5698030Obraz APT25GR120B.Microsemi

APT25GR120B

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$7.02
10+
$6.314
25+
$5.752
100+
$5.191
250+
$4.77
500+
$4.349
1000+
$3.788
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT25GR120B
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 75A 521W TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    3.2V @ 15V, 25A
  • Stan testu
    600V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    16ns/122ns
  • Przełączanie Energy
    742µJ (on), 427µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    521W
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT
  • brama Charge
    203nC
  • szczegółowy opis
    IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    100A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    75A
APT25GR120S

APT25GR120S

Opis: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GP120BDQ1G

APT25GP120BDQ1G

Opis: IGBT 1200V 69A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GR120SSCD10

APT25GR120SSCD10

Opis: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GP90BG

APT25GP90BG

Opis: IGBT 900V 72A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GR120BD15

APT25GR120BD15

Opis: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25SM120S

APT25SM120S

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GP120BG

APT25GP120BG

Opis: IGBT 1200V 69A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GN120SG

APT25GN120SG

Opis: IGBT 1200V 67A 272W D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT24M80S

APT24M80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G

Opis: IGBT 900V 72A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25SM120B

APT25SM120B

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

Opis: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GR120BSCD10

APT25GR120BSCD10

Opis: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GT120BRG

APT25GT120BRG

Opis: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GN120B2DQ2G

APT25GN120B2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 67A 272W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GF120JCU2

APT25GF120JCU2

Opis: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GR120SD15

APT25GR120SD15

Opis: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GN120BG

APT25GN120BG

Opis: IGBT 1200V 67A 272W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25M100J

APT25M100J

Opis: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GLQ120JCU2

APT25GLQ120JCU2

Opis: PWR MOD IGBT4 1200V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść