Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > ES2B-LTP
Poproś o wycenę
polski
6875708Obraz ES2B-LTP.Micro Commercial Components (MCC)

ES2B-LTP

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.51
10+
$0.362
100+
$0.238
500+
$0.141
1000+
$0.108
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ES2B-LTP
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    950mV @ 2A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AC (SMA)
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    35ns
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    DO-214AC, SMA
  • Inne nazwy
    ES2B-LTPMSCT
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    14 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 100V 2A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 100V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    2A
  • Pojemność @ VR F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Podstawowy numer części
    ES2B
ES2BA M2G

ES2BA M2G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES2B

ES2B

Opis:

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
ES2B-M3/52T

ES2B-M3/52T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES2B-TP

ES2B-TP

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
ES2BA-13

ES2BA-13

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A SMA

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
ES2AHM4G

ES2AHM4G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES2B R5G

ES2B R5G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES2B/1

ES2B/1

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES2B-E3/5BT

ES2B-E3/5BT

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES2B-13-F

ES2B-13-F

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
ES2BAHR3G

ES2BAHR3G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES2B-M3/5BT

ES2B-M3/5BT

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES2AHR5G

ES2AHR5G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES2AHM3/5BT

ES2AHM3/5BT

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES2BA R3G

ES2BA R3G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES2BA-13-F

ES2BA-13-F

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
ES2BAHM2G

ES2BAHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES2B-13

ES2B-13

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
ES2B-E3/52T

ES2B-E3/52T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES2AHE3_A/I

ES2AHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść