Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > ES2BA-13
Poproś o wycenę
polski
1497980Obraz ES2BA-13.Diodes Incorporated

ES2BA-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ES2BA-13
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 2A SMA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    2A
  • Napięcie - Podział
    SMA
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    25pF @ 4V, 1MHz
  • Polaryzacja
    DO-214AC, SMA
  • Inne nazwy
    ES2BADITR
    ES2BATR
    ES2BATR-ND
  • Temperatura pracy - złącze
    25ns
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    ES2BA-13
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 100V 2A Surface Mount SMA
  • Diode Configuration
    5µA @ 100V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 2A SMA
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    920mV @ 2A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    100V
  • Pojemność @ VR F
    -55°C ~ 150°C
ES2B-LTP

ES2B-LTP

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
ES2BA-13-F

ES2BA-13-F

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
ES2BHE3/52T

ES2BHE3/52T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES2BHE3/5BT

ES2BHE3/5BT

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES2B-M3/52T

ES2B-M3/52T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES2B/1

ES2B/1

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES2BHM4G

ES2BHM4G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES2BA M2G

ES2BA M2G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES2BAHR3G

ES2BAHR3G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES2B-E3/52T

ES2B-E3/52T

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES2BHR5G

ES2BHR5G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES2BAHM2G

ES2BAHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES2BHE3_A/I

ES2BHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES2B-E3/5BT

ES2B-E3/5BT

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES2C

ES2C

Opis:

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
ES2B-TP

ES2B-TP

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
ES2B-13-F

ES2B-13-F

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
ES2BHE3_A/H

ES2BHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES2BA R3G

ES2BA R3G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES2B-M3/5BT

ES2B-M3/5BT

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść