Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > EPC2111
Poproś o wycenę
polski
751806Obraz EPC2111.EPC

EPC2111

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$3.65
10+
$3.257
25+
$2.932
100+
$2.671
250+
$2.41
500+
$2.163
1000+
$1.824
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EPC2111
  • Producent / marka
    EPC
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    EPC2111.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 5mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Die
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
  • Moc - Max
    -
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    Die
  • Inne nazwy
    917-1174-6
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    14 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    230pF @ 15V, 590pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Cecha FET
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A (Ta) Surface Mount Die
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    16A (Ta)

Futuretech Components Vietnam Team | Local Presence, Strong...

2026/04/13

Electronics Weekly News | Apr 6 - 12, 2026

2026/04/13

Case Study | How Did We Help a European Manufacturer Overco...

2026/04/10

Electronics Weekly News | Mar 30 - Apr 5, 2026

2026/04/7

Electronics Weekly News | Mar 23 - 29, 2026

2026/03/30

STMicroelectronics and Allegro Announce Price Increases

2026/03/26

Electronics Weekly News | Mar 16 - 22, 2026

2026/03/24

Automotive Memory Applications & Selection Guide I

2026/03/17

Electronics Weekly News | Mar 9 - 15, 2026

2026/03/16

NXP Announces Price Adjustment Effective April 1, 2026

2026/03/12

Electronics Weekly News | Mar 2 - 8, 2026

2026/03/9

TI Announces Price Increase Effective April 1, 2026

2026/03/6
Ustanowiliśmy długoterminowe partnerstwa z głównymi globalnymi dostawcami logistyki, oferując elastyczne i wydajne rozwiązania wysyłkowe dostosowane do twoich unikalnych potrzeb.W zależności od wielkości, wagi i miejsca docelowego zamówienia wybieramy najbardziej odpowiedniego przewoźnika.Zapewniamy również usługi śledzenia logistyki w czasie rzeczywistym, umożliwiając klientom zrozumienie lokalizacji i statusu ich towarów w dowolnym momencie. Jeśli masz określone międzynarodowe trasy wysyłkowe lub wyznaczonego napastnika towarowego, skontaktuj się z naszym zespołem sprzedaży-z przyjemnością dostosujemy Twoje wymagania.
Obsługujemy wiele metod płatności, w tym karty kredytowe, transfery przewodu i inne opcje, i akceptujemy większość walut.W przypadku zamówień złożonych w USD dostępne są dodatkowe opcje płatności.Aby uzyskać więcej informacji na temat metod i procedur płatności, skontaktuj się z naszym zespołem sprzedaży.
Poniżej znajdują się produkty związane z „EPC2111”.
EPC2108

EPC2108

Opis: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

Opis: 200 V GAN IC FET DRIVER

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2203

EPC2203

Opis: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2815

EPC2815

Opis: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2818

EPC2818

Opis: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

Opis: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2110

EPC2110

Opis: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

Opis: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Opis: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2115ENGRT

EPC2115ENGRT

Opis: 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2801

EPC2801

Opis: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2202

EPC2202

Opis: GANFET N-CH 80V 18A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

Opis: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2LC20EM

EPC2LC20EM

Opis: IC FPGA FBGA

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
RFQ
EPC2106

EPC2106

Opis: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2107

EPC2107

Opis: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2LC20

EPC2LC20

Opis: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
RFQ
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Opis: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ

Review (1)

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościPliki do pobraniaMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.