Dom > Produkty > Zintegrowane obwody (ICS) > PMIC - Full, Half-Bridge Drivers > EPC2112ENGRT
Poproś o wycenę
polski
6151360Obraz EPC2112ENGRT.EPC

EPC2112ENGRT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$6.78
10+
$6.051
25+
$5.446
100+
$4.962
250+
$4.478
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EPC2112ENGRT
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    200 V GAN IC FET DRIVER
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Dostawa
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Napięcie - Obciążenie
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    10-BGA (2.9x1.1)
  • Seria
    -
  • Rds On (Typ)
    32 mOhm
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    10-XFBGA
  • Konfiguracja wyjściowa
    Low Side
  • Inne nazwy
    917-EPC2112ENGRCT
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    14 Weeks
  • Typ obciążenia
    Inductive
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Berło
    On/Off
  • cechy
    -
  • Ochrona usterek
    -
  • szczegółowy opis
    Low Side Driver DC-DC Converters MOSFET (Metal Oxide) 10-BGA (2.9x1.1)
  • Obecny - Szczytowa wydajność
    40A
  • Obecny - Wyjście / Channel
    10A
  • Aplikacje
    DC-DC Converters
AK67321-5

AK67321-5

Opis: CABLE USB-A TO MICRO USB-A 5M

Producenci: ASSMANN WSW Components
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść