Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S1M R3G
Poproś o wycenę
polski
1317274Obraz S1M R3G.TSC (Taiwan Semiconductor)

S1M R3G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1800+
$0.071
3600+
$0.064
5400+
$0.055
12600+
$0.047
45000+
$0.044
90000+
$0.042
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S1M R3G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    1000V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AC (SMA)
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    1.5µs
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AC, SMA
  • Inne nazwy
    S1M R3GTR
    S1M R3GTR-ND
    S1MR3GTR
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    17 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 1000V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 1000V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    12pF @ 4V, 1MHz
S1MBHM4G

S1MBHM4G

Opis: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1M-E3/5AT

S1M-E3/5AT

Opis:

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S1M-13-F

S1M-13-F

Opis:

Producenci: DIODES
Na stanie
S1M-13

S1M-13

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
S1M-M3/61T

S1M-M3/61T

Opis: DIODE GPP 1A 1000V DO-214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S1M2F

S1M2F

Opis: QUICK INSTALL SPLITTER 1 M 2 F

Producenci: Thomas Research Products
Na stanie
S1MBTR

S1MBTR

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
S1MA-E3/5AT

S1MA-E3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S1M/1

S1M/1

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S1M

S1M

Opis:

Producenci: ON Semiconductor
Na stanie
S1MB M4G

S1MB M4G

Opis: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1M-M3/5AT

S1M-M3/5AT

Opis: DIODE GPP 1A 1000V DO-214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S1MB-13

S1MB-13

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
S1MBHR5G

S1MBHR5G

Opis: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1MB-13-F

S1MB-13-F

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
S1M-LTP

S1M-LTP

Opis:

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
S1M M2G

S1M M2G

Opis: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1MA-E3/61T

S1MA-E3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S1MB R5G

S1MB R5G

Opis: DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S1M-E3/61T

S1M-E3/61T

Opis:

Producenci: Vishay Semiconductors
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść