Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S12MC R7G
Poproś o wycenę
polski
6492548Obraz S12MC R7G.TSC (Taiwan Semiconductor)

S12MC R7G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.72
10+
$0.628
100+
$0.484
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S12MC R7G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 12A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    1000V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AB (SMC)
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    DO-214AB, SMC
  • Inne nazwy
    S12MC R7GCT
    S12MC R7GCT-ND
    S12MCR7GCT
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 1000V 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 1000V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    12A
  • Pojemność @ VR F
    78pF @ 4V, 1MHz
S12MC V7G

S12MC V7G

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12MC M6G

S12MC M6G

Opis: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12M

S12M

Opis: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
S12Q

S12Q

Opis: DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
S12MR

S12MR

Opis: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
S12MCHM6G

S12MCHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12ME1FY

S12ME1FY

Opis: OPTOISOLATOR 4KV SCR 6DIP

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
S12MCHR7G

S12MCHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12KC V6G

S12KC V6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12KCHM6G

S12KCHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12VR32EVB

S12VR32EVB

Opis: EVALUATION BOARD FOR S12VR32EVB

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
S12KC R7G

S12KC R7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12MD3

S12MD3

Opis: OPTOISOLATOR 1.5KV SCR 8DIP

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
S12KR

S12KR

Opis: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
S12KC M6G

S12KC M6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12KCHR7G

S12KCHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12MC V6G

S12MC V6G

Opis: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12QR

S12QR

Opis: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
S12K

S12K

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
S12KC V7G

S12KC V7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść