Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > RS1KL RVG
Poproś o wycenę
polski
1272537Obraz RS1KL RVG.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1KL RVG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.37
10+
$0.338
100+
$0.189
500+
$0.101
1000+
$0.069
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RS1KL RVG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.3V @ 800mA
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    800V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Sub SMA
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    500ns
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    DO-219AB
  • Inne nazwy
    RS1KL RVGCT
    RS1KL RVGCT-ND
    RS1KLRVGCT
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    25 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 800V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 800V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    800mA
  • Pojemność @ VR F
    10pF @ 4V, 1MHz
RS1KL MHG

RS1KL MHG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1KLHR3G

RS1KLHR3G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1KL MQG

RS1KL MQG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1KL RTG

RS1KL RTG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1KLHRFG

RS1KLHRFG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1KL RUG

RS1KL RUG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1KLHM2G

RS1KLHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1KL M2G

RS1KL M2G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1KLHMQG

RS1KLHMQG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1KL MTG

RS1KL MTG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1KLHMTG

RS1KLHMTG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1KL R3G

RS1KL R3G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1KLHRUG

RS1KLHRUG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1KL RFG

RS1KL RFG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1KLHMHG

RS1KLHMHG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1KLHRQG

RS1KLHRQG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1KL RHG

RS1KL RHG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1KLHRTG

RS1KLHRTG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1KLHRHG

RS1KLHRHG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1KL RQG

RS1KL RQG

Opis: DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść