Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > RS1JLS RVG
Poproś o wycenę
polski
4455279Obraz RS1JLS RVG.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1JLS RVG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.42
10+
$0.385
100+
$0.216
500+
$0.116
1000+
$0.079
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RS1JLS RVG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.3V @ 1.2A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOD-123HE
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    300ns
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    SOD-123H
  • Inne nazwy
    RS1JLS RVGCT
    RS1JLS RVGCT-ND
    RS1JLSRVGCT
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 1.2A Surface Mount SOD-123HE
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1.2A
  • Pojemność @ VR F
    -
RS1JLHRHG

RS1JLHRHG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1JLHMHG

RS1JLHMHG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1K-13

RS1K-13

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RS1JLHR3G

RS1JLHR3G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1JLHMTG

RS1JLHMTG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1K-E3/5AT

RS1K-E3/5AT

Opis:

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RS1JLHMQG

RS1JLHMQG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1JLHRTG

RS1JLHRTG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1JLSHRVG

RS1JLSHRVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1K

RS1K

Opis:

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RS1JLW RVG

RS1JLW RVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1JLHRUG

RS1JLHRUG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1JLWHRVG

RS1JLWHRVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1K-13-F

RS1K-13-F

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RS1K R3G

RS1K R3G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1JLHRVG

RS1JLHRVG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1JLHRFG

RS1JLHRFG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1JTR

RS1JTR

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
RS1JLHRQG

RS1JLHRQG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RS1K M2G

RS1K M2G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść