Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > ES1JL RVG
Poproś o wycenę
polski
6030240Obraz ES1JL RVG.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES1JL RVG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.092
6000+
$0.083
15000+
$0.074
30000+
$0.069
75000+
$0.062
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ES1JL RVG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.7V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Sub SMA
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    35ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-219AB
  • Inne nazwy
    ES1JL RVGTR
    ES1JL RVGTR-ND
    ES1JLRVGTR
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    21 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    8pF @ 4V, 1MHz
ES1JL RFG

ES1JL RFG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JLHRTG

ES1JLHRTG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JLHRUG

ES1JLHRUG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JL MTG

ES1JL MTG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JLHRFG

ES1JLHRFG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JLHRHG

ES1JLHRHG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JL MQG

ES1JL MQG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JL MHG

ES1JL MHG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JL RUG

ES1JL RUG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JLHMTG

ES1JLHMTG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JL RQG

ES1JL RQG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JLHMQG

ES1JLHMQG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JL RTG

ES1JL RTG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JLHRQG

ES1JLHRQG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JL RHG

ES1JL RHG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JLHM2G

ES1JLHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JHM2G

ES1JHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JLHR3G

ES1JLHR3G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JL R3G

ES1JL R3G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JLHMHG

ES1JLHMHG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść