Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > ES1J R3G
Poproś o wycenę
polski
4812229Obraz ES1J R3G.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES1J R3G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1800+
$0.097
3600+
$0.088
5400+
$0.083
12600+
$0.075
45000+
$0.07
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    ES1J R3G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.7V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AC (SMA)
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    35ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AC, SMA
  • Inne nazwy
    ES1J R3GTR
    ES1J R3GTR-ND
    ES1JR3GTR
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    17 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    18pF @ 4V, 1MHz
ES1JL MTG

ES1JL MTG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JL MHG

ES1JL MHG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1J-LTP

ES1J-LTP

Opis:

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
ES1JL MQG

ES1JL MQG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JFL

ES1JFL

Opis:

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
ES1JE-TP

ES1JE-TP

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
ES1HR3G

ES1HR3G

Opis: DIODE GEN PURP 500V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1HL RQG

ES1HL RQG

Opis: DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1HL RHG

ES1HL RHG

Opis: DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1J-TP

ES1J-TP

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
ES1HL RVG

ES1HL RVG

Opis: DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1HM2G

ES1HM2G

Opis: DIODE GEN PURP 500V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1JHM2G

ES1JHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1J

ES1J

Opis:

Producenci: onsemi
Na stanie
ES1JAF

ES1JAF

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AD

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
ES1JF R2G

ES1JF R2G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAF

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1HL RUG

ES1HL RUG

Opis: DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1J M2G

ES1J M2G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1HL R3G

ES1HL R3G

Opis: DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
ES1HL RTG

ES1HL RTG

Opis: DIODE GEN PURP 500V 1A SUB SMA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść