Dom > Produkty > Czujniki, przetwornicy > Czujniki optyczne - Fotorezystory - Typ gniazda - > GP1S092HCPIF
Poproś o wycenę
polski
4317394Obraz GP1S092HCPIF.SHARP

GP1S092HCPIF

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.13
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    GP1S092HCPIF
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    35V
  • Rodzaj
    Unamplified
  • Seria
    -
  • Metoda pomiaru
    Transmissive
  • Zasięg
    0.079" (2mm)
  • Czas odpowiedzi
    50µs, 50µs
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    4-SMD
  • Konfiguracja wyjściowa
    Phototransistor
  • Inne nazwy
    1855-1001-1
    425-1962-1
    425-1962-1-ND
  • temperatura robocza
    -25°C ~ 85°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    Optical Sensor Transmissive 0.079" (2mm) Phototransistor 4-SMD
  • Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.)
    50mA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    20mA
GP1S096HCZ0F

GP1S096HCZ0F

Opis: SENSOR OPTO SLOT 1MM TRANS THRU

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
GP1S173LCS2F

GP1S173LCS2F

Opis: PHOTOINTER SLOT 5MM W/CONN

Producenci: Socle Technology Corporation
Na stanie
GP1S093HCZ

GP1S093HCZ

Opis: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM PCB

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
GP1S097HCZ0F

GP1S097HCZ0F

Opis: SENSOR OPTO SLOT 2MM TRANS THRU

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
GP1S094HCZ

GP1S094HCZ

Opis: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
GP1M018A020CG

GP1M018A020CG

Opis: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP1M018A020PG

GP1M018A020PG

Opis: MOSFET N-CH 200V 18A IPAK

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP1S093HCZ0F

GP1S093HCZ0F

Opis:

Producenci: Socle Technology Corporation
Na stanie
GP1S094HCZ0F

GP1S094HCZ0F

Opis:

Producenci: SHARP
Na stanie
GP1S036HEZ

GP1S036HEZ

Opis: SENSOR TILT 2PHASE 20MA TH

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
GP1M020A060N

GP1M020A060N

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP1S194HCZ0F

GP1S194HCZ0F

Opis:

Producenci: Socle Technology Corporation
Na stanie
GP1S097HCZ

GP1S097HCZ

Opis: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM PCB

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
GP1S096HCZ

GP1S096HCZ

Opis: PHOTOINTERRUPTER SLOT 1.0MM PCB

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
GP1M023A050N

GP1M023A050N

Opis: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP1S092HCPI

GP1S092HCPI

Opis: PHOTOINTERRUPTER SLOT 2.0MM SMD

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
GP1M020A050N

GP1M020A050N

Opis: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP1M018A020HG

GP1M018A020HG

Opis: MOSFET N-CH 200V 18A TO220

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP1M018A020FG

GP1M018A020FG

Opis: MOSFET N-CH 200V 18A TO220F

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie
GP1M020A060M

GP1M020A060M

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO3P

Producenci: Global Power Technologies Group
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść