Dom > Produkty > Optoelektronika > Promieniowanie podczerwone, promieniowanie UV, wid > GL480
Poproś o wycenę
polski
3594870Obraz GL480.Sharp Microelectronics

GL480

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    GL480
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Długość fali
    950nm
  • Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ)
    1.2V
  • Kąt widzenia
    26°
  • Rodzaj
    Infrared (IR)
  • Seria
    -
  • Radiant Intensity (Ie) Min @ Jeśli
    -
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    Radial
  • Inne nazwy
    425-1025-5
  • Orientacja
    Side View
  • temperatura robocza
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • szczegółowy opis
    Infrared (IR) Emitter 950nm 1.2V 50mA 26° Radial
  • Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.)
    50mA
GL41Y-E3/96

GL41Y-E3/96

Opis:

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GL4800E0000F

GL4800E0000F

Opis:

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
GL41YHE3/96

GL41YHE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GL480E00000F

GL480E00000F

Opis:

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
GL41THE3/96

GL41THE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GL41T-E3/96

GL41T-E3/96

Opis: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
GL4910JE000F

GL4910JE000F

Opis: EMITTER IR 850NM 50MA RADIAL

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
GL41MHE3/96

GL41MHE3/96

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GL41Y-E3/97

GL41Y-E3/97

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GL41M-E3/97

GL41M-E3/97

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GL41Y/1

GL41Y/1

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
GL41THE3/97

GL41THE3/97

Opis: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GL4800

GL4800

Opis: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
GL41MHE3/97

GL41MHE3/97

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GL480QE0000F

GL480QE0000F

Opis: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
GL41T-E3/1

GL41T-E3/1

Opis: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GL41YHE3/97

GL41YHE3/97

Opis: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GL41T-E3/97

GL41T-E3/97

Opis: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GL41M/54

GL41M/54

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
GL453E00000F

GL453E00000F

Opis: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść