Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N5418C.TR
Poproś o wycenę
polski
4444259Obraz 1N5418C.TR.Semtech

1N5418C.TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$6.06
10+
$5.408
100+
$4.434
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N5418C.TR
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 400V 4.5A AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    400V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Axial
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    150ns
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    Axial
  • Inne nazwy
    1N5418C.CT
  • Temperatura pracy - złącze
    -
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    Not Applicable
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 400V 4.5A Through Hole Axial
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 400V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    4.5A
  • Pojemność @ VR F
    165pF @ 4V, 1MHz
1N5417TR

1N5417TR

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5416US

1N5416US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5419

1N5419

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N5419E3

1N5419E3

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
1N5417

1N5417

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5417C.TR

1N5417C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 200V 4.5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5419

1N5419

Opis: DIODE GEN PURP 500V 4.5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5420

1N5420

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5417US

1N5417US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5518B (DO35)

1N5518B (DO35)

Opis: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5418TR

1N5418TR

Opis: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5420

1N5420

Opis: DIODE GEN PURP 600V 4.5A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5417-TAP

1N5417-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5416

1N5416

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5420US

1N5420US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5418US

1N5418US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5419US

1N5419US

Opis: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5415US

1N5415US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5418

1N5418

Opis:

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5418-TAP

1N5418-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść