Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice > DMG504010R
Poproś o wycenę
polski
6755056Obraz DMG504010R.Panasonic

DMG504010R

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.108
6000+
$0.101
15000+
$0.095
30000+
$0.087
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMG504010R
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA
  • Typ tranzystora
    NPN, PNP
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SMini6-F3-B
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    150mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-SMD, Flat Leads
  • Inne nazwy
    DMG504010RTR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    11 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    150MHz
  • szczegółowy opis
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini6-F3-B
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    210 @ 2mA, 10V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    100µA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100mA
  • Podstawowy numer części
    DMG50401
DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Opis: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMG563H40R

DMG563H40R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Producenci: Panasonic
Na stanie
DMG4N65CT

DMG4N65CT

Opis: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

Opis: MOSFET NCH 600V 3A TO251

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMG564040R

DMG564040R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie
DMG563H10R

DMG563H10R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Producenci: Panasonic
Na stanie
DMG563H50R

DMG563H50R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Producenci: Panasonic
Na stanie
DMG4N60SK3-13

DMG4N60SK3-13

Opis: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Opis: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMG564050R

DMG564050R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie
DMG563020R

DMG563020R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Producenci: Panasonic
Na stanie
DMG564060R

DMG564060R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie
Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Opis: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
DMG564030R

DMG564030R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie
DMG563010R

DMG563010R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Producenci: Panasonic
Na stanie
DMG564010R

DMG564010R

Opis: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Producenci: Panasonic
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść