Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JAN1N6629
Poproś o wycenę
polski
1753245

JAN1N6629

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6629
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.4V @ 1.4A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    880V
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/590
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    50ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    E, Axial
  • Inne nazwy
    1086-2307
    1086-2307-MIL
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 880V 1.4A Through Hole
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    2µA @ 800V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1.4A
  • Pojemność @ VR F
    -
JAN1N6638

JAN1N6638

Opis: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6626U

JAN1N6626U

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6626US

JAN1N6626US

Opis: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6627U

JAN1N6627U

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6625US

JAN1N6625US

Opis: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6631

JAN1N6631

Opis: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6626

JAN1N6626

Opis: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6631U

JAN1N6631U

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6638U

JAN1N6638U

Opis: DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6628US

JAN1N6628US

Opis: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6627US

JAN1N6627US

Opis: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6629US

JAN1N6629US

Opis: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6628U

JAN1N6628U

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6627

JAN1N6627

Opis: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6630U

JAN1N6630U

Opis: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6628

JAN1N6628

Opis: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6630US

JAN1N6630US

Opis: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6631US

JAN1N6631US

Opis: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6630

JAN1N6630

Opis: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6629U

JAN1N6629U

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść