Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > JAN1N6509
Poproś o wycenę
polski
1848496

JAN1N6509

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N6509
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 14CDIP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    8
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    -
  • Napięcie - podziały (min)
    -
  • Napięcie - Podział
    14-CDIP
  • Rodzaj
    Steering (Rail to Rail)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/474
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    Ethernet
  • Ochrona linii zasilających
    -
  • Moc - Peak Pulse
    -
  • Polaryzacja
    14-CDIP (0.300", 7.62mm)
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    JAN1N6509
  • Opis
    TVS DIODE 14CDIP
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    -
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    No
JAN1N6474US

JAN1N6474US

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6508

JAN1N6508

Opis: TVS DIODE 14CDIP

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6622US

JAN1N6622US

Opis: DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6620

JAN1N6620

Opis: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Opis: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6623

JAN1N6623

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6490US

JAN1N6490US

Opis: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6485US

JAN1N6485US

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6475US

JAN1N6475US

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6622

JAN1N6622

Opis: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6475

JAN1N6475

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6476US

JAN1N6476US

Opis: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Opis: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6621

JAN1N6621

Opis: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N649-1

JAN1N649-1

Opis: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6490

JAN1N6490

Opis: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N6476

JAN1N6476

Opis: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść