Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JAN1N3768
Poproś o wycenę
polski
1957067

JAN1N3768

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N3768
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    35A
  • Napięcie - Podział
    DO-5
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/297
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    -
  • Polaryzacja
    DO-203AB, DO-5, Stud
  • Inne nazwy
    1086-16818
    1086-16818-MIL
  • Rodzaj mocowania
    Chassis, Stud Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    JAN1N3768
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 1000V (1kV) 35A Chassis, Stud Mount DO-5
  • Diode Configuration
    10µA @ 1000V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.4V @ 110A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    1000V (1kV)
  • Pojemność @ VR F
    -65°C ~ 175°C
JAN1N3821DUR-1

JAN1N3821DUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3673A

JAN1N3673A

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3671A

JAN1N3671A

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3821A-1

JAN1N3821A-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N3646

JAN1N3646

Opis: DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3671AR

JAN1N3671AR

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3671R

JAN1N3671R

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3766R

JAN1N3766R

Opis: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3645

JAN1N3645

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3822C-1

JAN1N3822C-1

Opis: DIODE ZENER 3.6V 1W DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N3647

JAN1N3647

Opis: DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N3822A-1

JAN1N3822A-1

Opis: DIODE ZENER 3.6V 1W DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N3821AUR-1

JAN1N3821AUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3821D-1

JAN1N3821D-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3821CUR-1

JAN1N3821CUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3768R

JAN1N3768R

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3673AR

JAN1N3673AR

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3822AUR-1

JAN1N3822AUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.6V 1W DO213AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3766

JAN1N3766

Opis: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3821C-1

JAN1N3821C-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść