Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT75GN60BG
Poproś o wycenę
polski
1618156Obraz APT75GN60BG.Microsemi

APT75GN60BG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$8.49
10+
$7.639
30+
$6.96
120+
$6.281
270+
$5.772
510+
$5.262
1020+
$4.583
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT75GN60BG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 155A 536W TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    1.85V @ 15V, 75A
  • Stan testu
    400V, 75A, 1 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    47ns/385ns
  • Przełączanie Energy
    2500µJ (on), 2140µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247 [B]
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    536W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Trench Field Stop
  • brama Charge
    485nC
  • szczegółowy opis
    IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-247 [B]
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    225A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    155A
APT75GN60LDQ3G

APT75GN60LDQ3G

Opis: IGBT 600V 155A 536W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75F50B2

APT75F50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JRDQ3

Opis: IGBT 1200V 97A 480W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75F50L

APT75F50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GP120J

APT75GP120J

Opis: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN120B2G

APT75GN120B2G

Opis: IGBT 1200V 200A 833W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75M50L

APT75M50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75M50B2

APT75M50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN120LG

APT75GN120LG

Opis: IGBT 1200V 200A 833W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

Opis: IGBT 600V 155A 536W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GP120B2G

APT75GP120B2G

Opis: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DQ120BG

APT75DQ120BG

Opis:

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GT120JU2

APT75GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 100A 416W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN120JDQ3G

APT75GN120JDQ3G

Opis: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT77N60BC6

APT77N60BC6

Opis: MOSFET N-CH 600V 77A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3

Opis: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GT120JU3

APT75GT120JU3

Opis: POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN120JDQ3

APT75GN120JDQ3

Opis: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DQ60BG

APT75DQ60BG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN120J

APT75GN120J

Opis: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść