Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT70GR120L
Poproś o wycenę
polski
2354629Obraz APT70GR120L.Microsemi

APT70GR120L

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$14.75
10+
$13.409
25+
$12.403
100+
$11.398
250+
$10.392
500+
$9.721
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT70GR120L
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 160A 961W TO264
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    3.2V @ 15V, 70A
  • Stan testu
    600V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    33ns/278ns
  • Przełączanie Energy
    3.82mJ (on), 2.58mJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-264
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    961W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-264-3, TO-264AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT
  • brama Charge
    544nC
  • szczegółowy opis
    IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-264
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    280A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    160A
APT75DF170HJ

APT75DF170HJ

Opis: MOD DIODE 1700V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DQ100BG

APT75DQ100BG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Opis: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT66M60B2

APT66M60B2

Opis: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT66M60L

APT66M60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70SM70J

APT70SM70J

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Opis: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DL60HJ

APT75DL60HJ

Opis: MOD DIODE 600V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DL120HJ

APT75DL120HJ

Opis: MOD DIODE 1200V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70SM70B

APT70SM70B

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR120J

APT70GR120J

Opis: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT6M100K

APT6M100K

Opis: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR65B

APT70GR65B

Opis: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT66F60L

APT66F60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70SM70S

APT70SM70S

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT68GA60B

APT68GA60B

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść