Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT65GP60L2DQ2G
Poproś o wycenę
polski
3607490Obraz APT65GP60L2DQ2G.Microsemi

APT65GP60L2DQ2G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
25+
$18.899
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT65GP60L2DQ2G
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 198A 833W TO264
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    APT65GP60L2DQ2G.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.7V @ 15V, 65A
  • Stan testu
    400V, 65A, 5 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    30ns/90ns
  • Przełączanie Energy
    605µJ (on), 895µJ (off)
  • Seria
    POWER MOS 7®
  • Moc - Max
    833W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-264-3, TO-264AA
  • Inne nazwy
    APT65GP60L2DQ2GMI
    APT65GP60L2DQ2GMI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    PT
  • brama Charge
    210nC
  • szczegółowy opis
    IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    250A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    198A

Futuretech Components Vietnam Team | Local Presence, Strong...

2026/04/13

Electronics Weekly News | Apr 6 - 12, 2026

2026/04/13

Case Study | How Did We Help a European Manufacturer Overco...

2026/04/10

Electronics Weekly News | Mar 30 - Apr 5, 2026

2026/04/7

Electronics Weekly News | Mar 23 - 29, 2026

2026/03/30

STMicroelectronics and Allegro Announce Price Increases

2026/03/26

Electronics Weekly News | Mar 16 - 22, 2026

2026/03/24

Automotive Memory Applications & Selection Guide I

2026/03/17

Electronics Weekly News | Mar 9 - 15, 2026

2026/03/16

NXP Announces Price Adjustment Effective April 1, 2026

2026/03/12

Electronics Weekly News | Mar 2 - 8, 2026

2026/03/9

TI Announces Price Increase Effective April 1, 2026

2026/03/6
Ustanowiliśmy długoterminowe partnerstwa z głównymi globalnymi dostawcami logistyki, oferując elastyczne i wydajne rozwiązania wysyłkowe dostosowane do twoich unikalnych potrzeb.W zależności od wielkości, wagi i miejsca docelowego zamówienia wybieramy najbardziej odpowiedniego przewoźnika.Zapewniamy również usługi śledzenia logistyki w czasie rzeczywistym, umożliwiając klientom zrozumienie lokalizacji i statusu ich towarów w dowolnym momencie. Jeśli masz określone międzynarodowe trasy wysyłkowe lub wyznaczonego napastnika towarowego, skontaktuj się z naszym zespołem sprzedaży-z przyjemnością dostosujemy Twoje wymagania.
Obsługujemy wiele metod płatności, w tym karty kredytowe, transfery przewodu i inne opcje, i akceptujemy większość walut.W przypadku zamówień złożonych w USD dostępne są dodatkowe opcje płatności.Aby uzyskać więcej informacji na temat metod i procedur płatności, skontaktuj się z naszym zespołem sprzedaży.
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT65GP60L2DQ2G”.
APT60S20SG/TR

APT60S20SG/TR

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT6M100K

APT6M100K

Opis: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT68GA60B

APT68GA60B

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT70GR120J

APT70GR120J

Opis: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT64GA90B

APT64GA90B

Opis: IGBT 900V 117A 500W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT66M60L

APT66M60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT66F60B2

APT66F60B2

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Opis: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60N60SCSG/TR

APT60N60SCSG/TR

Opis: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT66F60L

APT66F60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60S20BG

APT60S20BG

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60S20SG

APT60S20SG

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT60S20B2CTG

APT60S20B2CTG

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT66M60B2

APT66M60B2

Opis: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Opis: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Opis: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT65GP60J

APT65GP60J

Opis: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Opis: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ

Review (1)

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościPliki do pobraniaMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.