Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT6010B2LLG
Poproś o wycenę
polski
4068760Obraz APT6010B2LLG.Microsemi Corporation

APT6010B2LLG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$28.84
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT6010B2LLG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Test
    6710pF @ 25V
  • Napięcie - Podział
    T-MAX™ [B2]
  • VGS (th) (Max) @ Id
    100 mOhm @ 27A, 10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    POWER MOS 7®
  • Stan RoHS
    Tube
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    54A (Tc)
  • Polaryzacja
    TO-247-3 Variant
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    APT6010B2LLG
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    150nC @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    5V @ 2.5mA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 600V 54A (Tc) 690W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    600V
  • Stosunek pojemności
    690W (Tc)
APT58M50JCU3

APT58M50JCU3

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT58MJ50J

APT58MJ50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT58M50JU3

APT58M50JU3

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60D100LCTG

APT60D100LCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5SM170S

APT5SM170S

Opis: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT6017LLLG

APT6017LLLG

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT6040BNG

APT6040BNG

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5SM170B

APT5SM170B

Opis: MOSFET N-CH 700V TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT58M50JU2

APT58M50JU2

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT6030BN

APT6030BN

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60D100BG

APT60D100BG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT6040BN

APT6040BN

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT6017LFLLG

APT6017LFLLG

Opis: MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT60D100SG

APT60D100SG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 60A D3

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT5F100K

APT5F100K

Opis: MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT6013JLL

APT6013JLL

Opis: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT58M50JCU2

APT58M50JCU2

Opis: MOSFET N-CH 500V 59A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT58M50J

APT58M50J

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT6013LLLG

APT6013LLLG

Opis: MOSFET N-CH 600V 43A TO-264

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT58M80J

APT58M80J

Opis: MOSFET N-CH 800V 58A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść