Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT50GT60BRG
Poproś o wycenę
polski
712971Obraz APT50GT60BRG.Microsemi

APT50GT60BRG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$7.39
10+
$6.651
30+
$6.06
120+
$5.469
270+
$5.025
510+
$4.582
1020+
$3.991
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT50GT60BRG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 110A 446W TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.5V @ 15V, 50A
  • Stan testu
    400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    14ns/240ns
  • Przełączanie Energy
    995µJ (on), 1070µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247 [B]
  • Seria
    Thunderbolt IGBT®
  • Moc - Max
    446W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • Inne nazwy
    APT50GT60BRGMI
    APT50GT60BRGMI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT
  • brama Charge
    240nC
  • szczegółowy opis
    IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B]
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    150A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    110A
APT50M38JLL

APT50M38JLL

Opis: MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50M65JFLL

APT50M65JFLL

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT120B2RDLG

APT50GT120B2RDLG

Opis: IGBT 1200V 106A 694W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50M65JLL

APT50M65JLL

Opis: MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT120JU2

APT50GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 75A 347W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50M65B2FLLG

APT50M65B2FLLG

Opis: MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50M65B2LLG

APT50M65B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT60BRDQ2G

APT50GT60BRDQ2G

Opis: IGBT 600V 110A 446W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50M65LFLLG

APT50M65LFLLG

Opis: MOSFET N-CH 500V 67A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50M75JLLU3

APT50M75JLLU3

Opis: MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT120B2RG

APT50GT120B2RG

Opis: IGBT 1200V 94A 625W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GS60BRG

APT50GS60BRG

Opis: IGBT 600V 93A 415W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT120JU3

APT50GT120JU3

Opis: IGBT 1200V 75A 347W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50M65LLLG

APT50M65LLLG

Opis: MOSFET N-CH 500V 67A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT120JRDQ2

APT50GT120JRDQ2

Opis: IGBT 1200V 72A 379W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT120B2RDQ2G

APT50GT120B2RDQ2G

Opis: IGBT 1200V 94A 625W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GT120LRDQ2G

APT50GT120LRDQ2G

Opis: IGBT 1200V 106A 694W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50M50JLL

APT50M50JLL

Opis: MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50GS60BRDQ2G

APT50GS60BRDQ2G

Opis: IGBT 600V 93A 415W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT50M75JLLU2

APT50M75JLLU2

Opis: MOSFET N-CH 500V 51A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść