Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - moduły > APT47GA60JD40
Poproś o wycenę
polski
6244284Obraz APT47GA60JD40.Microsemi Corporation

APT47GA60JD40

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$29.35
10+
$27.149
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT47GA60JD40
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 87A 283W SOT-227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    87A
  • Napięcie - Podział
    ISOTOP®
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    PT
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    600V
  • Seria
    POWER MOS 8™
  • Moc - Max
    283W
  • Polaryzacja
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Termistor NTC
    Standard
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    APT47GA60JD40
  • Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce
    2.5V @ 15V, 47A
  • Wkład
    6.32nF @ 25V
  • Rozszerzony opis
    IGBT Module PT Single 600V 87A 283W Chassis Mount ISOTOP®
  • Opis
    IGBT 600V 87A 283W SOT-227
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    275µA
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    No
  • Kontakt Finish
    Single
APT45GR65B

APT45GR65B

Opis: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Opis: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT5010B2FLLG

APT5010B2FLLG

Opis: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT4F120K

APT4F120K

Opis: MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT47M60J

APT47M60J

Opis: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT48M80L

APT48M80L

Opis: MOSFET N-CH 800V 48A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT47F60J

APT47F60J

Opis: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT48M80B2

APT48M80B2

Opis: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45GP120J

APT45GP120J

Opis: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Opis: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Opis: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

Opis: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Opis: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45M100J

APT45M100J

Opis: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT4M120K

APT4M120K

Opis: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

Opis: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Opis: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść