Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT44GA60B
Poproś o wycenę
polski
5145492Obraz APT44GA60B.Microsemi

APT44GA60B

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT44GA60B
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 78A 337W TO-247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.5V @ 15V, 26A
  • Stan testu
    400V, 26A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    16ns/84ns
  • Przełączanie Energy
    409µJ (on), 258µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247 [B]
  • Seria
    POWER MOS 8™
  • Moc - Max
    337W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    PT
  • brama Charge
    128nC
  • szczegółowy opis
    IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B]
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    130A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    78A
APT44F80B2

APT44F80B2

Opis: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT42F50B

APT42F50B

Opis: MOSFET N-CH 500V 42A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT43M60L

APT43M60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Opis: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

Opis: IGBT 600V 78A 337W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT43GA90BD30

APT43GA90BD30

Opis: IGBT 900V 78A 337W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Opis: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT44F80L

APT44F80L

Opis: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT43GA90B

APT43GA90B

Opis: IGBT 900V 78A 337W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45GR65B

APT45GR65B

Opis: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT43F60B2

APT43F60B2

Opis: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT42F50S

APT42F50S

Opis: MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT43F60L

APT43F60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

Opis: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT45GP120J

APT45GP120J

Opis: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT43M60B2

APT43M60B2

Opis: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść