Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT30GS60BRDQ2G
Poproś o wycenę
polski
1513755Obraz APT30GS60BRDQ2G.Microsemi

APT30GS60BRDQ2G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$8.65
10+
$7.783
30+
$7.092
120+
$6.40
270+
$5.881
510+
$5.362
1020+
$4.67
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT30GS60BRDQ2G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 54A 250W SOT227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    3.15V @ 15V, 30A
  • Stan testu
    400V, 30A, 9.1 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    16ns/360ns
  • Przełączanie Energy
    570µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247 [B]
  • Seria
    Thunderbolt IGBT®
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    25ns
  • Moc - Max
    250W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT
  • brama Charge
    145nC
  • szczegółowy opis
    IGBT NPT 600V 54A 250W Through Hole TO-247 [B]
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    113A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    54A
APT30M19JVR

APT30M19JVR

Opis: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GT60BRDQ2G

APT30GT60BRDQ2G

Opis: IGBT 600V 64A 250W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30M19JVFR

APT30M19JVFR

Opis: MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GP60JDQ1

APT30GP60JDQ1

Opis: IGBT 600V 67A 245W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G

Opis: IGBT 600V 100A 463W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GF60JU3

APT30GF60JU3

Opis: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GS60BRDLG

APT30GS60BRDLG

Opis: IGBT 600V 54A 250W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GN60BG

APT30GN60BG

Opis: IGBT 600V 63A 203W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GP60BG

APT30GP60BG

Opis: IGBT 600V 100A 463W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30M60J

APT30M60J

Opis: MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GT60KRG

APT30GT60KRG

Opis: IGBT 600V 64A 250W TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GP60LDLG

APT30GP60LDLG

Opis: IGBT 600V 100A 463W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GP60B2DLG

APT30GP60B2DLG

Opis: IGBT 600V 100A 463W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GS60KRG

APT30GS60KRG

Opis: IGBT 600V 54A 250W TO220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30M40B2VFRG

APT30M40B2VFRG

Opis: MOSFET N-CH 300V 76A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GT60BRG

APT30GT60BRG

Opis: IGBT 600V 64A 250W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GF60JU2

APT30GF60JU2

Opis: IGBT 600V 58A 192W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30M40JVR

APT30M40JVR

Opis: MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30GN60BDQ2G

APT30GN60BDQ2G

Opis: IGBT 600V 63A 203W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT30M40JVFR

APT30M40JVFR

Opis: MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść