Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT24M120L
Poproś o wycenę
polski
2986111Obraz APT24M120L.Microsemi Corporation

APT24M120L

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$20.00
10+
$18.18
25+
$16.816
100+
$15.453
250+
$14.09
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT24M120L
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Test
    8370pF @ 25V
  • Napięcie - Podział
    TO-264 [L]
  • VGS (th) (Max) @ Id
    680 mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (maks.)
    10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    POWER MOS 8™
  • Stan RoHS
    Tube
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    24A (Tc)
  • Polaryzacja
    TO-264-3, TO-264AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    22 Weeks
  • Numer części producenta
    APT24M120L
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    260nC @ 10V
  • Rodzaj IGBT
    ±30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    5V @ 2.5mA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 1200V (1.2kV) 24A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1200V (1.2kV)
  • Stosunek pojemności
    1040W (Tc)
APT24F50S

APT24F50S

Opis: MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GN120BG

APT25GN120BG

Opis: IGBT 1200V 67A 272W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT24F50B

APT24F50B

Opis: MOSFET N-CH 500V 24A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GLQ120JCU2

APT25GLQ120JCU2

Opis: PWR MOD IGBT4 1200V SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT22F100J

APT22F100J

Opis: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GP120BG

APT25GP120BG

Opis: IGBT 1200V 69A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G

Opis: IGBT 900V 72A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT22F80B

APT22F80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 22A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GN120B2DQ2G

APT25GN120B2DQ2G

Opis: IGBT 1200V 67A 272W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GN120SG

APT25GN120SG

Opis: IGBT 1200V 67A 272W D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT22F120L

APT22F120L

Opis: MOSFET N-CH 1200V 23A TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GP120BDQ1G

APT25GP120BDQ1G

Opis: IGBT 1200V 69A 417W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT24M120B2

APT24M120B2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT24M80S

APT24M80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 25A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT22F120B2

APT22F120B2

Opis: MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT23F60B

APT23F60B

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT25GF120JCU2

APT25GF120JCU2

Opis: MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT24M80B

APT24M80B

Opis: MOSFET N-CH 800V 25A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT23F60S

APT23F60S

Opis: MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT22F80S

APT22F80S

Opis: MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść