Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze > 2N2222AE3
Poproś o wycenę
polski
6731061

2N2222AE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    2N2222AE3
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    SMALL-SIGNAL BJT
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zgodny z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    1V @ 50mA, 500mA
  • Typ tranzystora
    NPN
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-18
  • Seria
    -
  • Status RoHS
    RoHS Compliant
  • Moc - Max
    500mW
  • Package / Case
    TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Częstotliwość - Transition
    -
  • szczegółowy opis
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 150mA, 10V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    50nA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    800mA
MW-10-03-G-D-153-065

MW-10-03-G-D-153-065

Opis: 1MM X 1MM C.L. SURFACE MOUNT BOA

Producenci: Samtec, Inc.
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść