Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - Zener - Pojedynczy > 1N821A
Poproś o wycenę
polski
2488523Obraz 1N821A.Microsemi

1N821A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$4.50
10+
$4.016
25+
$3.615
100+
$3.293
250+
$2.972
500+
$2.667
1000+
$2.249
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N821A
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz)
    6.2V
  • Tolerancja
    ±5%
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-35 (DO-204AH)
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    500mW
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    20 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Impedancja (Max) (Zzt)
    10 Ohms
  • szczegółowy opis
    Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    2µA @ 3V
1N821AUR

1N821AUR

Opis: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N823A

1N823A

Opis: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N821AUR-1

1N821AUR-1

Opis: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N8032-GA

1N8032-GA

Opis: DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
1N821-1

1N821-1

Opis: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N8033-GA

1N8033-GA

Opis: DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
1N823AUR

1N823AUR

Opis: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N823-1

1N823-1

Opis: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N8165US

1N8165US

Opis: TVS DIODE 33V 53.6V

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N821A (DO35)

1N821A (DO35)

Opis: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N8035-GA

1N8035-GA

Opis: DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
1N821A, SEL. 1% VBR

1N821A, SEL. 1% VBR

Opis: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N8182

1N8182

Opis: TVS DIODE 170V 294V A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N8149

1N8149

Opis: TVS DIODE 6.8V 12.8V A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N822

1N822

Opis: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N821

1N821

Opis: DIODE ZENER DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N8034-GA

1N8034-GA

Opis: DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
1N8031-GA

1N8031-GA

Opis: DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
1N823

1N823

Opis: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N821UR-1

1N821UR-1

Opis: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść