Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N5619
Poproś o wycenę
polski
5243996Obraz 1N5619.Microsemi

1N5619

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$7.48
10+
$6.733
100+
$5.536
500+
$4.638
1000+
$4.04
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N5619
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.6V @ 3A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    250ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    A, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    7 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 1A Through Hole
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    500nA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    25pF @ 12V, 1MHz
1N5620GPHE3/73

1N5620GPHE3/73

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
1N5619US

1N5619US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5618

1N5618

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5620GPHE3/54

1N5620GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5618GPHE3/54

1N5618GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5619GP-E3/73

1N5619GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5617C.TR

1N5617C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5617US

1N5617US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5620C.TR

1N5620C.TR

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
1N5618US

1N5618US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5620

1N5620

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5617GP-E3/73

1N5617GP-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5619GPHE3/54

1N5619GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5617GP-E3/54

1N5617GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5617

1N5617

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5617GPHE3/54

1N5617GPHE3/54

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5621

1N5621

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5619GP-E3/54

1N5619GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N5620US

1N5620US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N5618GP-E3/54

1N5618GP-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść