Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1N4448
Poproś o wycenę
polski
360520Obraz 1N4448.Microsemi

1N4448

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
20+
$0.019
200+
$0.014
500+
$0.012
2000+
$0.011
10000+
$0.01
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1N4448
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1V @ 100mA
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    75V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-35
  • Prędkość
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    4ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Inne nazwy
    1N4448MS
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 75V 200mA Through Hole DO-35
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    25nA @ 20V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    200mA
  • Pojemność @ VR F
    -
1N4448,133

1N4448,133

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Producenci: Nexperia
Na stanie
1N4448-T

1N4448-T

Opis: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
1N4444-1

1N4444-1

Opis: DIODE SWITCHING

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N4448-A

1N4448-A

Opis: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N4446 BK

1N4446 BK

Opis: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
1N4446_T50R

1N4446_T50R

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N4446

1N4446

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N4447

1N4447

Opis: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N4446TR

1N4446TR

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N4448-T

1N4448-T

Opis: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
1N4448 BK

1N4448 BK

Opis: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
1N4448,143

1N4448,143

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
1N4448,113

1N4448,113

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
1N4448

1N4448

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N4448 TR

1N4448 TR

Opis: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Producenci: Central Semiconductor Corp
Na stanie
1N4447TR

1N4447TR

Opis: DIODE GEN PURP 100V DO35

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
1N4446 TR

1N4446 TR

Opis: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
1N4446

1N4446

Opis: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
1N4448 A0G

1N4448 A0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
1N4447

1N4447

Opis:

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść