Dom > Produkty > Zintegrowane obwody (ICS) > Pamięć > N2M400HDB321A3CF
Poproś o wycenę
polski
2656979

N2M400HDB321A3CF

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
588+
$40.572
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    N2M400HDB321A3CF
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC FLASH 128G MMC 52MHZ 100LBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Model ECAD
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologia
    FLASH - NAND
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    100-LBGA (14x18)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    100-LBGA
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Non-Volatile
  • Rozmiar pamięci
    128Gb (16G x 8)
  • Interfejs pamięci
    MMC
  • Format pamięci
    FLASH
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    FLASH - NAND Memory IC 128Gb (16G x 8) MMC 52MHz 100-LBGA (14x18)
  • Częstotliwość zegara
    52MHz
  • Podstawowy numer części
    N2M400
71V2556S133PFG8

71V2556S133PFG8

Opis: IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
AT27LV256A-55RI

AT27LV256A-55RI

Opis: IC EPROM 256K PARALLEL 28SOIC

Producenci: Micrel / Microchip Technology
Na stanie
N2M400JDB341A3CF

N2M400JDB341A3CF

Opis: IC FLASH 256G MMC 52MHZ 100LBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT48H4M16LFB4-8 TR

MT48H4M16LFB4-8 TR

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR

MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR

Opis: IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR

MT40A512M8RH-083E AIT:B TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 1.2GHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
M36W0R6050U4ZSF TR

M36W0R6050U4ZSF TR

Opis: IC FLASH PSRAM 96M

Producenci: Micron Technology
Na stanie
N2M400HDB321A3CE

N2M400HDB321A3CE

Opis: IC FLASH 128G MMC 52MHZ 100LBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT46H128M16LFCK-5 IT:A

MT46H128M16LFCK-5 IT:A

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 60VFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
93AA66CT-I/MS

93AA66CT-I/MS

Opis: IC EEPROM 4K SPI 3MHZ 8MSOP

Producenci: Micrel / Microchip Technology
Na stanie
S29GL512P10TFI020

S29GL512P10TFI020

Opis: IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

Producenci: Cypress Semiconductor
Na stanie
STK11C68-5K45M

STK11C68-5K45M

Opis: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28CDIP

Producenci: Cypress Semiconductor
Na stanie
N2M400GDB321A3CF TR

N2M400GDB321A3CF TR

Opis: IC FLASH 64G MMC 52MHZ 100LBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
7134LA70L48B

7134LA70L48B

Opis: IC SRAM 32K PARALLEL 48LCC

Producenci: IDT (Integrated Device Technology)
Na stanie
N2M400FDB311A3CF TR

N2M400FDB311A3CF TR

Opis: IC FLASH 32G MMC 52MHZ 100LBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
AT25DF321A-SH-T-AD

AT25DF321A-SH-T-AD

Opis: BIOS FLASH

Producenci: Adesto Technologies
Na stanie
S25FL512SAGMFVG13

S25FL512SAGMFVG13

Opis: IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOIC

Producenci: Cypress Semiconductor
Na stanie
N2M400GDB321A3CE

N2M400GDB321A3CE

Opis: IC FLASH 64G MMC 52MHZ 100LBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
N2M400FDB311A3CE

N2M400FDB311A3CE

Opis: IC FLASH 32G MMC 52MHZ 100LBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
CY7C1415KV18-250BZCT

CY7C1415KV18-250BZCT

Opis: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

Producenci: Cypress Semiconductor
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść