Dom > Produkty > Zintegrowane obwody (ICS) > Pamięć > EDB4064B4PB-1DIT-F-R
Poproś o wycenę
polski
2457425

EDB4064B4PB-1DIT-F-R

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$19.28
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EDB4064B4PB-1DIT-F-R
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Technologia
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    216-WFBGA (12x12)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    216-WFBGA
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    4Gb (64M x 64)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (64M x 64) Parallel 533MHz 216-WFBGA (12x12)
  • Częstotliwość zegara
    533MHz
EDB4432BBBH-1D-F-D

EDB4432BBBH-1D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4064B3PP-1D-F-D

EDB4064B3PP-1D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR

EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4064B3PB-8D-F-D

EDB4064B3PB-8D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 216FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB2432BCPE-8D-F-D

EDB2432BCPE-8D-F-D

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4064B4PB-1DIT-F-D

EDB4064B4PB-1DIT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB2432BCPA-8D-F-D

EDB2432BCPA-8D-F-D

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 168FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4432BBBJ-1D-F-D

EDB4432BBBJ-1D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4064B4PB-1D-F-R TR

EDB4064B4PB-1D-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4064B4PB-1D-F-D

EDB4064B4PB-1D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR

EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR

Opis: IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4432BBBH-1D-F-R TR

EDB4432BBBH-1D-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4432BBBJ-1D-F-R

EDB4432BBBJ-1D-F-R

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4416BBBH-1DIT-F-R

EDB4416BBBH-1DIT-F-R

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

EDB4064B4PB-1DIT-F-D TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4416BBBH-1DIT-F-D

EDB4416BBBH-1DIT-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4064B3PD-8D-F-D

EDB4064B3PD-8D-F-D

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAAT-F-R TR

Opis: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść