Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > US1G-TP
Poproś o wycenę
polski
1008314Obraz US1G-TP.Micro Commercial Components (MCC)

US1G-TP

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
10+
$0.053
100+
$0.042
300+
$0.037
1000+
$0.033
5000+
$0.029
10000+
$0.027
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    US1G-TP
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.4V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    400V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AC (SMA)
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    50ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AC, SMA
  • Inne nazwy
    US1G-TPMSTR
    US1GTP
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    14 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 400V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    20pF @ 4V, 1MHz
  • Podstawowy numer części
    US1G
US1J M2G

US1J M2G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
US1G-M3/5AT

US1G-M3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
US1GHE3_A/I

US1GHE3_A/I

Opis:

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
US1DWF-7

US1DWF-7

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
US1GHE3_A/H

US1GHE3_A/H

Opis:

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
US1GHM2G

US1GHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
US1G M2G

US1G M2G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
US1G-M3/61T

US1G-M3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
US1G-E3/5AT

US1G-E3/5AT

Opis:

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
US1GFA

US1GFA

Opis:

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
US1GHE3/5AT

US1GHE3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
US1GWF-7

US1GWF-7

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
US1G-13-F

US1G-13-F

Opis:

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
US1G R3G

US1G R3G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
US1GHR3G

US1GHR3G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
US1G-13

US1G-13

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
US1GHE3/61T

US1GHE3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
US1G-E3/61T

US1G-E3/61T

Opis:

Producenci: Vishay Semiconductors
Na stanie
US1FFA

US1FFA

Opis:

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
US1G/1

US1G/1

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść