Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > FR6J-TP
Poproś o wycenę
polski
3162965Obraz FR6J-TP.Micro Commercial Components (MCC)

FR6J-TP

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1500+
$0.265
3000+
$0.241
7500+
$0.224
10500+
$0.221
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FR6J-TP
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 6A DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.3V @ 6A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AB (HSMC)
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    250ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AB, SMC
  • Inne nazwy
    FR6J-TPMSTR
    FR6JTP
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    14 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 6A Surface Mount DO-214AB (HSMC)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    6A
  • Pojemność @ VR F
    -
  • Podstawowy numer części
    FR6J
FR6G02

FR6G02

Opis: DIODE GEN PURP 400V 6A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
FR6G05

FR6G05

Opis: DIODE GEN PURP 400V 16A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
FR6GR02

FR6GR02

Opis: DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
FR6K05

FR6K05

Opis: DIODE GEN PURP 800V 6A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
FR6MR05

FR6MR05

Opis: DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
FR6CS58

FR6CS58

Opis: CABLE DUCT BRACKET

Producenci: Panduit
Na stanie
FR6LB

FR6LB

Opis: CABLE DUCT BRACKET

Producenci: Panduit
Na stanie
FR6LRB

FR6LRB

Opis: CABLE DUCT BRACKET

Producenci: Panduit
Na stanie
FR6JR05

FR6JR05

Opis: DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
FR6GR05

FR6GR05

Opis: DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
FR6D05

FR6D05

Opis: DIODE GEN PURP 200V 16A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
FR6J02

FR6J02

Opis: DIODE GEN PURP 600V 6A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
FR6M05

FR6M05

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
FR6CS58M

FR6CS58M

Opis: CABLE DUCT BRACKET

Producenci: Panduit
Na stanie
FR6DR05

FR6DR05

Opis: DIODE GEN PURP REV 200V 16A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
FR6JR02

FR6JR02

Opis: DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
FR6DR02

FR6DR02

Opis: DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
FR6J05

FR6J05

Opis: DIODE GEN PURP 600V 6A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
FR6KR05

FR6KR05

Opis: DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
FR6D02

FR6D02

Opis: DIODE GEN PURP 200V 6A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść